研究室メンバー(平成28年度) (2016/07/10更新)


教授 高橋 庸夫
(タカハシ ヤスオ)
011-706-6794
テーマ:
 ・ナノドットアレイを用いた単電子高機能デバイス
 ・抵抗スイッチ型メモリー

特徴:
 ・半パラに触っているときに至福を感じる.
授業:
(学部)
 ・量子デバイス工学
 ・電子情報工学演習
(大学院)
 ・量子物性学特論 (2017/6月公開)

准教授 有田 正志
(アリタ マサシ)
011-706-6456
更新不定期
右の授業項目をクリックすると,授業情報が出てきます.
テーマ:
 ・ナノグラニュラー膜の電磁気特性
 ・透過電子顕微鏡その場実験のシステム開発と電子デバイス計測への応用

特徴:

 ・TEMを操作しているときが一番楽しい(暗闇の男)
 ・機器整備でずっと疲れ気味.早く実験をしたい.
授業:
(全学教育)
  ・物理学2 (2017/9月下旬公開)
(学部)
  ・応用電磁気学
  ・電気電子工学実験Ⅰ-Ⅲ
 ・科学技術英語演習
 ・情報エレクトロニクス概論
(大学院)
 ・量子物性学特論 (2017/6月公開)

助教 福地 厚 (旧姓:鶴巻)
(フクチ アツシ)
011-706-6457
テーマ:
 ・ペロブスカイト複酸化物の電気物性
 ・酸化物系抵抗変化メモリ開発

特徴:

 ・AFMは俺にまかせろ.
授業:
(学部)
 ・電気電子工学実験Ⅰ-Ⅲ
 ・電気電子工学実験Ⅳ-Ⅵ
 ・電気電子工学実験基礎
 ・科学技術英語演習

博士3年 内田 貴史
(ウチダ タカフミ)
テーマ:
 ・ Si単電子トランジスタの少数電子系としての特性評価

特徴:
 ・

博士3年 曺 民圭
(ジョ ミンギュ)
テーマ:
 ・ 単電子デバイスの電気特性
 ・ 抵抗変化メモリのアナログ動作に関する研究

特徴:
 ・

修士2年 勝村 玲音
(カツムラ レオン)
テーマ:
 ・ Cu-金属酸化膜CBRAMの抵抗スイッチング性能に関する研究

特徴:

修士2年 平田 周一郎
(ヒラタ シュウイチロウ)
テーマ:
 ・ 抵抗変化メモリのスイッチに動作のTEM実時間評価

特徴:

修士2年 本庄 周作
(ホンジョウ シュウサク)
テーマ:
 ・ Fe-MgF2グラニュラー薄膜の微細構造と磁気特性

特徴:

修士1年 中川 良祐
(ナカガワ リョウスケ)
テーマ:
 ・ ぺロブスカイト型酸化膜の抵抗スイッチングに関する研究

特徴:

修士1年 福本泰士
(フクモト タイジ)
テーマ:
 ・チタン酸化物の抵抗変化特性に関する研究

特徴:

修士1年 武藤 恵
(ムトウ サトシ)
テーマ:
 ・ 平面型ReRAMのTEMその場による動作検証

特徴:

研究生 李 遠霖
(リ エンリン)
テーマ:
 ・抵抗変化メモリ回路の特性に関する研究

特徴:

短期留学生 Win Arthur
(ウィン アーサー)
テーマ:
 ・ 単電子デバイスの電気特性に関する研究

特徴:

学部4年 浅井 佑基
(アサイ ユウキ)
テーマ:
 ・金属ドットの単電子伝導に関する研究

特徴:

学部4年 石川 竜介
(イシカワ リュウスケ)
テーマ:
 ・ TEMその場解析による抵抗変化メモリの研究

特徴:

学部4年 酒井 慎弥
(サカイ シンヤ)
テーマ:
 ・ 抵抗変化メモリ回路のTEM動作解析

特徴:

学部4年 安田 将太
(ヤスタ ショウタ)
テーマ:
 ・新規抵抗変化メモリの開発

特徴: