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受賞

堀祐臣さん(博士3年)が10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)のOutstanding Poster Presentation Awardを受賞しました。

受賞日: 2013年8月26日
氏名: 堀 祐臣
学年: 博士3年
所属: 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子結晶フォトニクス研究室
授与団体: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
賞名: Outstanding Poster Presentation Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由:
「Characterization and Control of MOS Interface States in GaN-based MOS-HEMTs Using Al2O3 Gate Insulator(Al2O3ゲート絶縁膜を用いた窒化ガリウム系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位の評価と制御)」
問い合わせ先: Tel 011-706-6873, E-mail hashi@rciqe.hokudai.ac.jp

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