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受賞

小川 恵理さん(博士2年)がIEEE EDS Kansai ChapterのThe 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK-2009) Best Student Awardを受賞しました。

受賞日: 2009年5月12日
氏名: 小川 恵理
学年: 博士2年
所属: 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子結晶フォトニクス研究室
授与団体: IEEE EDS Kansai Chapter
賞名: The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK-2009) Best Student Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由:
Effects of high-temperature anneal on surface properties of Mg-doped GaN(MgドープGaN表面特性に与える高温熱処理効果)

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