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ネットジャーナル39

解説

解説1:ReRAM(抵抗変化メモリ)

ある種の絶縁体を金属電極ではさんで(左図)電圧と変化させると、電圧のプラス・マイナスによって電気抵抗が数桁変化する(中図)。実用的にはパルス電圧をかけて、高抵抗の状態を1,低抵抗の状態を0と考えれば,それがスイッチになり、メモリとしての応用が期待できる(右図)。この現象を用いているのがRandom Access Memory (ReRAM)である。

図1

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解説2:Cu/MoOx 抵抗変化型メモリにおけるフィラメント観察とその分析

ReRAMの動作モデルにはいくつかあるが、Cu/MoOx系では導電性のフィラメント形成と消失が抵抗変化に寄与すると言われている。TEMその場観察によって、これを実験的に示した(ビデオ:4倍速)。

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解説3:エレクトロマイグレーションによるAu細線破断過程のTEMその場観察

金属細線に電流を流すと,電子の動く方向(電流とは逆向き)に原子が動き、この現象をエレクトロマイグレーションと呼ぶ。これを上手く制御すると,10ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)以下の電極空隙を作ることができる。

図1

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