HOME > 研究活動・産学官連携 > ネットジャーナル > ネットジャーナル53

ネットジャーナル53

解説

解説1:電子スピン制御の物性定数を解明

インジウム、ガリウム、ヒ素をベースとした半導体量子井戸(図2)において、半導体の基本物性の一つである「スピン軌道相互作用」の大きさを精密に決定する実験にはじめて成功。半導体内の電子スピンを、ある特定方向を軸に回転させたり、回転を止めたり、逆回りに回転させたりするといった電子スピンの自在な制御がトランジスタのゲートによって可能であることを実証した。

プレスリリース:電子スピン制御の物性定数を解明〜次世代電子デバイスの研究・開発を加速〜

本文にもどる

解説2:半導体における最大効率のスピン生成法を提案

インジウム、ガリウム、ヒ素をベースとした半導体二重量子井戸において、「スピン軌道相互作用」を効果的に活用し、電子の持つスピン状態に応じて伝導電子をふるいにかける新手法を理論的に考案。特に、量子井戸面に平行に外部磁場を印加することで、伝導電子のスピン選別の機構が明確に示された。半導体二重量子井戸において「スピン軌道相互作用」がパリティの異なる2つの波動関数を結びつける事実に着目して進められた。その結果、半導体二重量子井戸系をサブミクロンスケールで加工することにより、「エデルシュタイン効果」と呼ばれる電流誘起によるスピン生成効果が、従来半導体での観測値の少なくとも1万倍に達することが理論的に明らかにされた。

プレスリリース:半導体における最大効率のスピン生成法を提案

本文にもどる

ページの先頭へ