堀祐臣さん(博士3年)が10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)のOutstanding Poster Presentation Awardを受賞しました。

受賞日：　2013年8月26日
氏名：　堀　祐臣
学年：　博士3年
所属：　大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子結晶フォトニクス研究室
授与団体：　10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
賞名：　Outstanding Poster Presentation Award
受賞論文名，研究題目名または受賞理由：
｢Characterization and Control of MOS Interface States in GaN-based MOS-HEMTs Using Al2O3 Gate Insulator（Al2O3ゲート絶縁膜を用いた窒化ガリウム系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位の評価と制御）｣
問い合わせ先：　Tel 011-706-6873, E-mail hashi@rciqe.hokudai.ac.jp