language
注意事項
当サイトの中国語、韓国語ページは、機械的な自動翻訳サービスを使用しています。
翻訳結果は自動翻訳を行う翻訳システムに依存します。場合によっては、不正確または意図しない翻訳となる可能性があります。
翻訳サービスを利用した結果について、一切を保証することはできません。
翻訳サービスを利用される場合は、自動翻訳が100%正確ではないことを理解の上で利用してください。

中井栄治さん(博士3年)が公益社団法人応用物理学会の2014年度応用物理学会論文奨励賞を受賞しました。

受賞日
 2014年8月1日
氏名
 中井 栄治
学年
 博士3年
所属
 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積電子デバイス研究室
授与団体
 公益社団法人応用物理学会
賞名
 2014年度応用物理学会論文奨励賞
受賞論文名,研究題目名または受賞理由
「GaAs/InGaP Core–Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells (ガリウムヒ素/インジウムガリウムリン コア-マルチシェルナノワイヤアレイ型太陽電池)」
問い合わせ先
 Tel 011-706-7171(集積電子デバイス学研究室), E-mail fukui[a]rciqe.hokudai.ac.jp (福井孝志)

受賞一覧へ
過去の受賞(「広報」ホームページ)