language
注意事項
当サイトの中国語、韓国語ページは、機械的な自動翻訳サービスを使用しています。
翻訳結果は自動翻訳を行う翻訳システムに依存します。場合によっては、不正確または意図しない翻訳となる可能性があります。
翻訳サービスを利用した結果について、一切を保証することはできません。
翻訳サービスを利用される場合は、自動翻訳が100%正確ではないことを理解の上で利用してください。

冨岡克広准教授,石坂文哉さん(博士3年),本久順一教授,福井孝志名誉教授がSSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)の2016 SSDM Paper Awardを受賞しました。

受賞日: 2015年11月13日

氏名 職名/学年
 冨岡 克広 准教授*1  石坂 文哉 博士3年*1  本久 順一 教授*1          福井 孝志 名誉教授*2
所属
  *1 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積電子デバイス研究室
     *2 北海道大学
授与団体
 SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials)
賞名
 2016 SSDM Paper Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由
「Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction (急峻なサブスレッショルド係数をもつInGaAs/InPコアシェルナノワイヤ/Siヘテロ接合型トンネルFETの作製)」
問い合わせ先
 Tel 011-706-7176, E-mail tomioka[a]rciqe.hokudai.ac.jp
受賞一覧へ

受賞一覧へ
過去の受賞(「広報」ホームページ)