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情報科学研究科 植村圭佑さん(修士2年)がInternational Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018)のIWN2018 Student Awardを受賞しました。

受賞日
 2018年11月16日
氏名
 植村 圭佑
学年
 修士2年
所属
 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子知能デバイス研究室
授与団体
 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
賞名
 IWN2018 Student Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由
「Effect of Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing on Gate-controllability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (光電気化学エッチングと金属ゲート形成後アニールがAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのゲート制御性に与える効果)」
問い合わせ先
 Tel 011-706-7175, E-mail taketomo[a]rciqe.hokudai.ac.jp (佐藤威友)

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過去の受賞(「広報」ホームページ)