我々は、新しい電子・光機能を持つエレクトロニクス技術の創出をめざして、*ナノ電子材料に関する研究を進めています。
(*1ナノメートルはだいたい原子10個分の長さに相当します。)

半導体などのナノ電子材料における電子や光の振る舞いを電子工学や物性物理学の視点から理解していきます。そして、ナノ材料を用いた省エネルギー発光ダイオード(LED)レーザなどの光電素子の作製、新しい光電情報変換素子の探求、素子集積化のためのプラズマシミュレーションの研究を行っています。

本研究室では、北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻の大学院生と、工学部 情報エレクトロニクス学科 電気電子工学コースの学生を受け入れています。

 

重要なお知らせ

2016年10月より研究室の居室が変更になりました。

詳細はこちらをご覧下さい。

超高真空を利用する分子線エピタキシー結晶成長

LEDやレーザ素子に用いる超高純度半導体結晶を作製しています。

超高速電子状態分光システム

作製した試料の電子状態や素子動作特性をフェムト~ピコ*~ナノ秒領域で解析します。
(*1ピコ秒間に光が進むことが出来る距離は0.3 mmです。)

プロセスプラズマの計算機解析

半導体素子集積化プロセスに利用するプラズマの特性を計算機解析により明らかにします。


News

2019.04.01 InGaAs量子ドット/量子井戸結合構造におけるスピン極性の電界制御に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
2019.04.01 樋浦 諭志 助教が申請した平成31年度科研費若手研究が採択されました。
2019.02.22 超格子を利用した半導体量子ドットへの量子スピン保持輸送に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載され、注目論文(Editor’s Pick)に選出されました。
2019.01.07 局所的低ポテンシャルを持つ超高密度InGaAs量子ドットにおけるドット間キャリアスピン移動ダイナミクスに関する研究成果がSemiconductor Science and Technology誌に掲載されました。
2018.09.10 InGaAs量子ドット/量子井戸結合構造における電子スピン偏極度の保持に関する研究成果がPhysical Review Applied誌に掲載されました。
2018.09.04 本研究室が中心となり、光ナノ物質科学に関するスウェーデンとの国際ワークショップを2018年10月24日~10月26日に開催します。
2018.07.19 研究業績を更新しました。
2018.07.12 面内方向で電子的に結合した高密度InGaAs量子ドットのドット間スピン移動ダイナミクスに関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
2018.05.29 高密度InGaN量子ナノディスクにおける光励起キャリアダイナミクスの温度依存性に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。
2018.05.10 分子線エピタキシーによる半導体自己組織化量子ドットの作製と光励起キャリアダイナミクスに関する解説論文が日本表面真空学会発行の「表面と真空」誌に掲載されました。