我々は、新しい電子・光機能を持つエレクトロニクス技術の創出をめざして、*ナノ電子材料に関する研究を進めています。
(*1ナノメートルはだいたい原子10個分の長さに相当します。)

半導体などのナノ電子材料における電子や光の振る舞いを電子工学や物性物理学の視点から理解していきます。そして、ナノ材料を用いた省エネルギー発光ダイオード(LED)レーザなどの光電素子の作製、新しい光電情報変換素子の探求、素子集積化のためのプラズマシミュレーションの研究を行っています。

本研究室では、北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻の大学院生と、工学部 情報エレクトロニクス学科 電気電子工学コースの学生を受け入れています。

 

重要なお知らせ

2016年10月より研究室の居室が変更になりました。

詳細はこちらをご覧下さい。

超高真空を利用する分子線エピタキシー結晶成長

LEDやレーザ素子に用いる超高純度半導体結晶を作製しています。

超高速電子状態分光システム

作製した試料の電子状態や素子動作特性をフェムト~ピコ*~ナノ秒領域で解析します。
(*1ピコ秒間に光が進むことが出来る距離は0.3 mmです。)

プロセスプラズマの計算機解析

半導体素子集積化プロセスに利用するプラズマの特性を計算機解析により明らかにします。


News

2020.08.25 量子閉じ込めの次元性を段階的に変化させた新しい半導体ナノ構造を用いた室温光電スピン変換に関する研究成果がPhysical Review Applied誌に掲載されることが決定しました。
2020.08.18 本学理学研究院の錯体化学研究室との共同研究の成果がAngewandte Chemie International Edition誌(IF:12.959)に掲載されました。
2020.07.01 超格子バリアから量子ドットへのスピン輸送注入後のスピン緩和現象に関する論文がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
2020.05.04 キャップ層へのpドーピングによるInGaAs量子ドットの室温電子スピン偏極度の増大に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
2020.03.01 樋浦諭志助教が准教授に昇任されました
2020.01.23 高密度InGaAs量子ドットにおける結合励起状態間の電子スピン移動の温度依存性に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。
2019.12.03 共鳴トンネル結合したInGaAs量子ドット/量子井戸ナノ構造における効率的電子スピン注入に関する研究成果がApplied Physics Express誌に掲載されました。
2019.09.27 朴昭暎さんと佐藤紫乃さんがSemiconNano2019でBest Poster Awardを受賞しました。
2019.07.02 サイズ変調InGaAsナノコラムにおける電子スピン偏極度の増幅効果に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
2019.06.28 村山明宏教授が申請した2019年度科研費挑戦的研究(開拓)が採択されました。