私たちは、新しい電子や光の機能を創出することをめざして、*ナノ電子材料を始めとするエレクトロニクス技術の研究を進めています。
（*1ナノメートルは原子10個分程度の長さに相当します。）
半導体などのナノ電子材料における電子や光の振る舞いを電子工学や物性物理学の視点から理解していきます。そして、ナノ材料を用いた省エネルギーの発光ダイオード（LED）やレーザ、フォトダイオードなどの光電素子の作製、新しい光電情報変換素子の探求、素子集積化のためのプラズマシミュレーションの研究を行っています。
本研究室では、北海道大学 大学院情報科学院 情報エレクトロニクスコースの大学院生と、工学部 情報エレクトロニクス学科 電気電子工学コースの学生を受け入れています。
分子線エピタキシー装置を用いて、超高純度で高品質の半導体結晶を作製し、真空蒸着やスパッタリング、エッチングなどのプロセスを用いて、LEDやレーザ、フォトダイオードなどの光電変換素子を作製しています。
作製した試料の電子状態や素子の動作特性を、フェムト～ピコ*～ナノ～マイクロ秒の実時間領域の発光現象により研究しています。また、光の偏光状態を調べることで、電子の磁気的な性質であるスピンの状態も解析できます。
（*1ピコ秒間に光が進むことが出来る距離はわずか0.3 mmです。また、1ピコ秒は1テラヘルツ(THz)の周波数領域に対応します。）
計算機解析により、半導体素子集積化プロセスに利用するプラズマの特性を明らかにします。
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