峯山大輝さんの希薄窒化物半導体GaNAsを用いた近赤外偏光検出フォトダイオードに関する研究成果がApplied Physics Lettersに掲載されました。

Influence of bias voltage on the performance of polarization sensitive near-infrared photodiode based on dilute nitride GaNAs
D. Mineyama, T. Yano, K. Etou, K. Nakama, H. Hashimoto, K. Minehisa, J. Takayama, A. Subagyo, K. Sueoka, F. Ishikawa, A. Murayama, and S. Hiura
Applied Physics Letters 126, 223507:1-7 (2025). [doi]