分子線エピタキシーによる半導体自己組織化量子ドットの作製と光励起キャリアダイナミクスに関する解説論文が日本表面真空学会発行の「表面と真空」誌に掲載されました。hiura2018/05/10Publication ホーム Publication 分子線エピタキシーによる半導体自己組織化量子ドットの作製と光励起キャリアダイナミクス 村山 明宏, 高山 純一, 樋浦 諭志, 木場 隆之 （依頼解説）表面と真空 61, 315 (2018). [doi] 前へ 投稿 バイオナノテンプレートと低損傷ドライエッチング技術によって作成したGaN量子ナノディスクに関する共同研究の成果が、ACS Photonicsに掲載されました 次へ 投稿 高密度InGaN量子ナノディスクにおける光励起キャリアダイナミクスの温度依存性に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。
佐藤紫乃さんのInAs量子ドット/GaNAs量子井戸における高速スピン増幅ダイナミクスに関する研究成果がApplied Physics Letters(IF:4.0)に掲載されました。 2023-12-05
