キャップ層へのpドーピングによるInGaAs量子ドットの室温電子スピン偏極度の増大に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

hiura
2020/05/04
Publication

Suppression of thermally excited electron-spin relaxation in InGaAs quantum dots using p-doped capping layers toward enhanced room-temperature spin polarization
S. Sato, S. Hiura, J. Takayama, and A. Murayama
Applied Physics Letters 116, 182401 (2020). [doi]

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