高密度InGaAs量子ドットにおける結合励起状態間の電子スピン移動の温度依存性に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。

Temperature dependence of inter-dot electron-spin transfer among laterally coupled excited states in high-density InGaAs quantum dots
S. Sato, S. Hiura, J. Takayama, and A. Murayama
Journal of Applied Physics 127, 043904 (2020). [doi]