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受賞

冨岡克広准教授,石坂文哉さん(博士3年),本久順一教授,福井孝志名誉教授がSSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)の2016 SSDM Paper Awardを受賞しました。

受賞日: 2015年11月13日
氏名 職名/学年: 冨岡 克広 准教授*1  石坂 文哉 博士3年*1  本久 順一 教授*1
         福井 孝志 名誉教授*2
所属:  *1 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積電子デバイス研究室
     *2 北海道大学
授与団体: SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials)
賞名: 2016 SSDM Paper Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由:
「Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction (急峻なサブスレッショルド係数をもつInGaAs/InPコアシェルナノワイヤ/Siヘテロ接合型トンネルFETの作製)」
問い合わせ先: Tel 011-706-7176, E-mail tomioka[a]rciqe.hokudai.ac.jp

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