近年、世界中でデジタルトランスフォーメーション(DX)が進められています。日本では、Society5.0構想が提唱されており、サイバー空間(仮想空間)とフィジカル空間(現実空間)の高度な融合により経済発展と社会的課題の解決を両立する人間中心の社会を構築することを目指しています。このような社会では、IoT(Internet of Things, モノのインターネット化)によりあらゆるモノ(電化製品・自動車・モバイル機器等)がインターネットに繋がるようになります。このようなDXにおいて重要な基盤技術が“移動通信システム”です。移動通信システムと聞いて多くの人が思い浮かべるのはスマートフォン等でのデータ通信を思い浮かべるのではないでしょうか。2020年にサービスを開始した第5世代移動通信システム(5G)ではこの様なモバイルデータ通信の発展に加えて、産業や社会を支えるという重要な役割を担っています。

　そして、このような大きな目標に対して、欠かすことのできない重要な技術が「半導体技術」です。私は現在「窒化ガリウム(GaN)系半導体を用いた次世代トランジスタ」に関する研究に取り組んでいます。GaN系トランジスタは従来のシリコン(Si)デバイスに比べて「高周波で高出力」「高効率」「小型化」といった特徴があります。そのため、無線通信基地局用のパワーアンプとして既に実用化され始めており、次世代無線通信システムにおける基盤技術として重要な位置を占めています。GaN系トランジスタの高性能化は、無線通信システムの性能向上に繋がる技術となっています。

　当研究室では、充実した実験環境があり、GaN系半導体の設計・加工・トランジスタ作製から特性評価・解析まで一貫して自分の手で行うことが可能となっています。そのため、各過程で得られた課題・発見をフィードバックすることができ、自身のアイデアを活かして研究をすることができます。また、当研究室が所属する量子集積エレクトロニクス研究センターでは、4つの研究室で学生の居室や実験装置を共同利用しており、他研究室との交流も活発に行っています。そのため、知見や実験装置のノウハウなどを共有することで、研究の幅を広げることが可能となっています。